IEC 60068-2-5:2010《Environmental testing - Part 2-5: Test Sa: Simulated solar radiation at ground leveland guidance for solar radiation testing》是國際電工委員會的一個環(huán)境測試試驗方法。目前電子行業(yè)在廣泛引用這個標準，對材料或產品進行耐候老化測試，其中包括空調、洗衣機、電腦、電視、手機、耳機、廚衛(wèi)電器、太陽能等電工電子產品。

很多廣泛使用的國標也采用或引用了該標準，如GB/T 2423.24—2013《環(huán)境試驗第2 部分：試驗方法試驗Sa: 模擬地面上的太陽輻射及其試驗導則》。

該標準廣泛用于電子電工產品的耐候性測試，主要利用氙燈光源，來加速模擬材料和產品在大氣環(huán)境下，因光照等因素的作用而產生的破壞。

1 光譜和輻照度

1 . 1 光譜的定義

該標準的4.3節(jié)指出光譜能量分布參照CIE 85,具體見表1。波長從280~3000nm總的輻照度為1120W/m2。

表1 光譜能量分布圖

在執(zhí)行標準時，應使用日光過濾片來過濾氙燈光源，實現(xiàn)該標準對光源的要求。日光過濾片是用來模擬戶外直射太陽光常用的氙燈過濾系統(tǒng)，經日光過濾片過濾的氙燈光源，接近實際的戶外光照環(huán)境，其光譜與太陽光光譜之間的比較如圖1所示。因為780nm或800nm以上的紅外光譜對于高分子材料的作用僅為熱效應，在有黑板溫度控制的條件下，紅外光譜往往不被考慮。因此，新的光譜曲線一般僅描述紫外和可見光部分。

圖1 帶有日光過濾片的Q -SUN氙燈光譜和CIE 85標準太陽光光譜比較

1 . 2 輻照度設定

該標準的4.2節(jié)對試驗箱中光譜的闡述為：地球表面的輻照度受太陽常數及大氣層對其衰減和散射的影響，參照CIE 85 , 輻照度為1120 W/m2。在標準的5.8節(jié)“試驗設備"中也指出，輻照度應為1120 W/m2(1±10%)，光譜能量分布參照表1。因此該標準對輻照度的設定采用的是總輻照度的設定，即全光譜上的輻照度為1120W/m2。這種輻照度的定義沒有考慮到不同波段光線對材料老化的差異性，即波長越短對材料的破壞力越強。新的標準中大多采用了點控制的方法，即采用340 nm或420 nm點控制，如 ISO 4892-2: 2013和ASTM G155— 2013。考慮到 IEC 60068-2-5:2010模擬的是戶外直射太陽光，建議使用340nm點控制，推薦Daylight-B/B 日光過濾片，而輻照度設定為0.60W/m2@340nm。

2 溫度

標準的5.2節(jié)指出，箱體內的溫度，不管是光照階段還是黑暗階段,都應符合程序A ,B或C的要求。而且指出，在光照階段，箱體內的溫度應以1K/min的速率上升或下降。

標準的7.1節(jié)又指出，在程序A 中，箱體內的溫度應在光照階段之前2h開始升溫。在程序A和B的黑暗階段，箱體內的溫度應以大約1K/min的速率下降，并最終保持在25℃。

程序A的一個循環(huán)是24h,包括8h光照和16h黑暗，重復進行。程序B的一個循環(huán)也是24h ,包括20h光照和4h黑暗，重復進行。程序C是持續(xù)光照。每個程序的光照時間，黑暗時間，溫度要求如圖2 所示。

上述5.2節(jié)和7.1節(jié)中對溫度上升或下降速率的描述，與圖2 中溫度與時間的描述不符。如果按照5.2節(jié)和7.1節(jié)的要求，則在光照階段直接設置為40°C，在黑暗階段直接設置為25°C即可。

如果是按照圖2中溫度上升、下降與時間的關系，在Q-SUN氙燈老化試驗箱中則可按圖3的要求對溫度進行設定。Q-SUN氙燈老化試驗箱中具體的溫度與時間的關系見表2(Procedure A)、表3(Procedure B)和表4(Procedure C)。

圖2 測試程序A ,B和C

圖3 Q-SUN氙燈老化試驗箱對溫度的設定

表2 Q-SUN氙燈老化試驗箱中溫度與時間的關系

表3 Q-SUN氙燈老化試驗箱中溫度與時間的關系

表4 Q-SUN氙燈老化試驗箱中溫度與時間的關系

3 結語

根據對IEC 60068-2-5標準的解讀，推薦如下配置：Q-SUN氙燈老化試驗箱，Daylight-B/B 過濾片，輻照度設定為0.60W/m2@340nm , 溫度設定參照表2-4。

      另外，程序A的循環(huán)接近最嚴酷的自然條件，而程序B和程序C的循環(huán)比程序A的嚴酷很多，尤其是程序C，所以標準的7.1節(jié)也指出不推薦運行程序C。因此，一般情況下推薦程序A ,對于耐候性好的材料，需要加速測試的，推薦程序B 。